在半導(dǎo)體、量子材料等科研領(lǐng)域，分子束外延（MBE）是制備原子級(jí)精度超薄薄膜的核心技術(shù)。日本 ARIOS（アリオス）推出的 MBE 裝置，憑借 20 余年的制造經(jīng)驗(yàn)、全自主設(shè)計(jì)與超高真空性能，成為科研級(jí)薄膜生長(zhǎng)的設(shè)備。

依托 ARIOS 的超高真空技術(shù)，對(duì)分子線(xiàn)源、基板加熱機(jī)構(gòu)等核心部件進(jìn)行加熱脫氣處理，成膜室通入液體窒素時(shí)可實(shí)現(xiàn) 1×10??Pa 以下的超高真空，從根源上杜絕雜質(zhì)污染，保障薄膜的超高純度與結(jié)晶質(zhì)量。

裝置標(biāo)配 RHEED（反射高能電子衍射）、BFM（束流監(jiān)測(cè)）、輻射熱源等監(jiān)測(cè)與控制模塊，可根據(jù)科研需求靈活配置；支持 1"~6" 尺寸基板，適配 Ⅲ-Ⅵ 族等多種半導(dǎo)體材料體系。同時(shí)支持通過(guò)觸控面板、序列程序?qū)崿F(xiàn)排氣、成膜等全工藝的自動(dòng)運(yùn)轉(zhuǎn)，大幅降低人工操作誤差，提升實(shí)驗(yàn)重復(fù)性；可搭配托洛奇搬運(yùn)、轉(zhuǎn)輸室搬運(yùn)系統(tǒng)，支持自動(dòng)送樣，適配連續(xù)實(shí)驗(yàn)需求。

從分子線(xiàn)源、RHEED 等核心部件到控制單元，全程由 ARIOS 自主研發(fā)制造，可根據(jù)客戶(hù)需求進(jìn)行精細(xì)化定制，實(shí)現(xiàn)短交期、高品質(zhì)的特注品生產(chǎn)。裝置搭載離子泵、渦輪分子泵等可自由組合的排氣系統(tǒng)，基板加熱溫度 800℃，可選 1000℃高溫款；標(biāo)配 4~8 個(gè)分子線(xiàn)源，適配 5cc~100cc 容量，覆蓋高低溫工況；腔體采用 SUS 304/316L 材質(zhì)，加熱部選用 Mo、Ta 等耐高溫材料，電源支持單相 AC100V 與三相 AC200V，滿(mǎn)足不同實(shí)驗(yàn)室供電需求。

該設(shè)備廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件研發(fā)、量子材料生長(zhǎng)、二維材料制備、光電薄膜研發(fā)等科研領(lǐng)域，是高校、科研院所、半導(dǎo)體企業(yè)研發(fā)中心的核心實(shí)驗(yàn)設(shè)備。